MT40A512M16LY-075:E vs MT40A512M16LY-062E مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M16LY-075:E توسط Micron Technology و MT40A512M16LY-062E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | MT40A512M16LY-075:E | MT40A512M16LY-062E |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $6.65 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gbit |
| نرخ داده | 2666 MT/s | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1.6 GHz |
| تأخیر CAS | 19 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| رابط | Parallel | — |
| بستهبندی | 96-FBGA (7.5x13.5mm) | 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| محدوده دمای کاری | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Internal Banks (x16) | 8 banks (4 groups of 2) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| RoHS | Compliant | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سازمان | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage VDD/VDDQ | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| Supply Voltage VPP | — | 2.5 V (-125 mV, +250 mV) |
| Bank Architecture | — | 16 banks in 2 groups of 4 (x16) |
| Refresh | — | 8192-cycle; 64 ms at -40C to +85C, 32 ms >85C to +95C, 16 ms >95C |
| I/O Interface | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| ویژگیها | — | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, data mask, auto precharge, async reset, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ |
| دمای کاری | — | -40C to +95C (IT grade) |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |