MT40A512M16LY-075:E vs MT40A512M16LY-062E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M16LY-075:E توسط Micron Technology و MT40A512M16LY-062E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ فعال
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E MT40A512M16LY-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16LY-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16LY-062E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-062E
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی — In Stock
قیمت واحد (USD) — $6.65
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
اندازه حافظه 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
نرخ داده 2666 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1.33 GHz 1.6 GHz
تأخیر CAS 19 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
رابط Parallel —
بسته‌بندی 96-FBGA (7.5x13.5mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm)
محدوده دمای کاری 0°C to +95°C —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Internal Banks (x16) 8 banks (4 groups of 2) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
RoHS Compliant —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سازمان — 512M x 16
Access Time — 19 ns
Supply Voltage VDD/VDDQ — 1.2 V +/- 60 mV
Supply Voltage VPP — 2.5 V (-125 mV, +250 mV)
Bank Architecture — 16 banks in 2 groups of 4 (x16)
Refresh — 8192-cycle; 64 ms at -40C to +85C, 32 ms >85C to +95C, 16 ms >95C
I/O Interface — 1.2 V pseudo open-drain
ویژگی‌ها — Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, data mask, auto precharge, async reset, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ
دمای کاری — -40C to +95C (IT grade)
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت