MT41K256M16TW-107 vs H5TC4G63CFR-XXJ तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16TW-107 द्वारा Micron Technology और H5TC4G63CFR-xxJ द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16TW-107 | H5TC4G63CFR-xxJ |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $14.10 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | — |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bit | — |
| पैकेज | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C (commercial :P grade) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Clock Input | — | Fully differential (CK, CK#) |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS#) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| DM Mask | — | Yes |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS latency options] |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |