MT41K256M16TW-107 vs H5TC4G63CFR-XXJ Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT41K256M16TW-107 tarafından Micron Technology ve H5TC4G63CFR-xxJ tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ Aktif
SK hynix
H5TC4G63CFR-xxJ H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre MT41K256M16TW-107 H5TC4G63CFR-xxJ
Marka Micron Technology SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $14,10 —
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Bellek Boyutu 4 Gbit —
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Arayüz Parallel —
Clock Frequency 933 MHz (DDR3L-1866) —
Access Time 20 ns —
Besleme Gerilimi 1.35 V —
Veri Bus Genişliği 16 bit —
Paket 96-FBGA (8x14 mm) 96-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount —
İşletim Sıcaklığı 0C to +95C (commercial :P grade) —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] —
Density — 4 Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Clock Input — Fully differential (CK, CK#)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS#)
On-Chip DLL — Yes
DM Mask — Yes
İşletim Sıcaklığı Aralığı — 0°C to 95°C (case)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes
Speed Grade — [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix]
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CAS latency options]
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
On-Die Termination — Yes
Refresh — Auto-refresh and self-refresh

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin