MT53E2G64D8TN-046 vs H58G66CK8BX147N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT53E2G64D8TN-046 द्वारा Micron Technology और H58G66CK8BX147N द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT53E2G64D8TN-046 - 128Gbit LPDDR4X SDRAM 556-Ball | Micron
MT53E2G64D8TN-046 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT53E2G64D8TN-046 | H58G66CK8BX147N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | Mobile LPDDR4X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| मेमोरी आकार | 128 Gbit (16 GB) | — |
| संगठन | 2G x 64 | x8 (single channel) |
| इंटरफ़ेस | Parallel | LPDDR5/LPDDR5X protocol |
| Clock Frequency | 2.133 GHz | — |
| Access Time | 3.5 ns | — |
| Speed Grade | -046 (4266 Mbps/pin) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V / 1.8 V (per variant) | — |
| पैकेज | 556-ball LFBGA (12.4 mm x 12.4 mm) | 315-ball FBGA |
| Ball Pitch | [DATA_NEEDED: ball pitch] | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (AAT:C) | 0C to +95C | — |
| Operating Temperature (AIT:C) | -40C to +95C | — |
| Operating Temperature (AUT:C) | -40C to +105C | — |
| Automotive Qualification (AUT variant) | AEC-Q100 qualified | — |
| डेटा बस चौड़ाई | 64 bit | — |
| Write Cycle Time | 18 ns | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 64 Gbit (8 GB) |
| Maximum Data Rate | — | 8533 Mbps |
| Supply Voltage Domain | — | 0.5 V to 1.8 V |
| Core Voltage Class | — | 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class) |
| Standard Compliance | — | JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification) |
| Channel Configuration | — | Single channel (x8 or x16 capable family) |
| Power Management | — | Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ) |
| Application Domain | — | Smartphone, AI edge, server-class mobile computing |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh Scheme | — | LPDDR5 per-bank / all-bank refresh |