NT5AD512M16A4-GZ vs NT5AD512M16 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5AD512M16A4-GZ द्वारा Nanya Technology और NT5AD512M16 द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Nanya Technology
NT5AD512M16A4-GZ NT5AD512M16A4-GZ - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-GZ - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-GZ ✓ सक्रिय
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NT5AD512M16 NT5AD512M16 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Technology

NT5AD512M16 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Technology

NT5AD512M16 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर NT5AD512M16A4-GZ NT5AD512M16
ब्रांड Nanya Technology Nanya Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
संगठन 512M x 16 512M x 16
Density 8Gb —
सप्लाई वोल्टेज 1.2V —
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी 1200 MHz —
डेटा बस चौड़ाई 16 bits —
पैकेज TFBGA-96 96-ball FBGA
Number of Terminals 96 —
Interleaved Burst Length 4, 8 —
Access Mode Four Bank Page Burst —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज Commercial and Industrial —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Built-in Temperature Sensor Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Function Yes —
ZQ Calibration Function Yes —
Total Density — 8 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
डेटा दर — 3200 Mbps (DDR4-3200)
Operating Temperature (Commercial) — 0°C to +95°C
Operating Temperature (Industrial) — -40°C to +95°C
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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