NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646D-BMK0 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CB256M16CP-DI द्वारा Nanya Technology और K4B4G1646D-BMK0 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CB256M16CP-DI | K4B4G1646D-BMK0 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V (DDR3L) | — |
| डेटा दर | 1600 Mbps/pin (max) | 1600 Mbps |
| पैकेज | TFBGA-96 | 96FBGA (TFBGA) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Additive Latency | 0-13 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Differential Clock Input | Yes (CK, CK#) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Speed Grade | — | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Voltage | — | 1.35 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40°C to 95°C |
| Die Version | — | D-die |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Number of Functions | — | 1 |