NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646D-BMK0 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار NT5CB256M16CP-DI توسط Nanya Technology و K4B4G1646D-BMK0 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | NT5CB256M16CP-DI | K4B4G1646D-BMK0 |
|---|---|---|
| برند | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V (DDR3L) | — |
| نرخ داده | 1600 Mbps/pin (max) | 1600 Mbps |
| بسته‌بندی | TFBGA-96 | 96FBGA (TFBGA) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Additive Latency | 0-13 | — |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Differential Clock Input | Yes (CK, CK#) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Speed Grade | — | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Voltage | — | 1.35 V |
| دمای کاری | — | -40°C to 95°C |
| Die Version | — | D-die |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Number of Functions | — | 1 |