W9751G6KB-25 vs NT5CB256M16CP-DI तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना W9751G6KB-25 द्वारा Winbond और NT5CB256M16CP-DI द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Winbond
W9751G6KB-25 W9751G6KB-25 - 512Mb DDR2-800 SDRAM, x16, 84-WBGA | Winbond

W9751G6KB-25 - 512Mb DDR2-800 SDRAM, x16, 84-WBGA | Winbond

W9751G6KB-25 ✓ सक्रिय
Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर W9751G6KB-25 NT5CB256M16CP-DI
ब्रांड Winbond Nanya Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार Volatile DRAM (DDR2 SDRAM) DDR3L SDRAM
मेमोरी आकार 512 Mbit (32M x 16) —
संगठन 32M words x 16 bits 256M x 16
Speed Grade -25 (DDR2-800) —
Clock Frequency 400 MHz —
डेटा दर 800 MT/s 1600 Mbps/pin (max)
Access Time 57.5 ns (CAS latency timing window) —
सप्लाई वोल्टेज 1.8 V typical 1.35 V (DDR3L)
इंटरफ़ेस प्रकार Parallel DDR2 (SSTL_18) —
पैकेज 84-ball WBGA / TFBGA, 8 x 12.5 mm TFBGA-96
Refresh Cycles 8K (per JEDEC DDR2 standard) —
Burst Length 4 or 8 (programmable) —
CAS लेटेंसी Programmable (typically 3 to 6) —
On-Die Termination Yes (ODT) —
Self Refresh Yes —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature grade] —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
RoHS स्थिति Compliant —
Density — 4 Gb
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
Write Latency (CWL) — 5, 6, 7, 8, 9
Additive Latency — 0-13
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Differential Clock Input — Yes (CK, CK#)
On-Die Termination (ODT) — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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