K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WB-BITD Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil K4A8G085WB-BCTD dari Samsung Electronics dan K4A8G085WB-BITD dari Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BITD
Merek Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) $8,53 —
Tipe Memori DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organisasi 1G x 8 1G x 8
Laju Data 2666 Mbps 2666 Mbps
Tegangan Pemuat 1.2 V 1.2 V
Die Revision B-die —
Paket FBGA-78 (78-ball TFBGA) 78FBGA
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount
Bank Structure 16 banks, 4 bank groups —
Burst Length BL8 —
Termination On-Die Termination (ODT), dynamic ODT —
Fitur ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset —
Suhu Kerja [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40°C to +95°C
Speed Bin -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) —
Terminations 78 —
JEDEC-30 Package Code R-PBGA-B78 —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Jumlah Pin — 78
Latensi CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Cycle Time (tRC) — [DATA_NEEDED: tRC]
Refresh Cycle Time (tRFC) — [DATA_NEEDED: tRFC]
Antarmuka — Parallel
Lead-Free — Yes

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon