K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WB-BITD 比較

詳細並排比較 K4A8G085WB-BCTD 由 Samsung Electronics 與 K4A8G085WB-BITD 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD ✓ 啟用中
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K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD ✓ 啟用中

規格比較

參數 K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BITD
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) $8.53 —
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
組織 1G x 8 1G x 8
資料速率 2666 Mbps 2666 Mbps
供應電壓 1.2 V 1.2 V
Die Revision B-die —
封裝 FBGA-78 (78-ball TFBGA) 78FBGA
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
Bank Structure 16 banks, 4 bank groups —
Burst Length BL8 —
Termination On-Die Termination (ODT), dynamic ODT —
功能特色 ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset —
工作溫度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40°C to +95°C
Speed Bin -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) —
Terminations 78 —
JEDEC-30 Package Code R-PBGA-B78 —
RoHS 狀態 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
腳位數 — 78
CAS 延遲 — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Cycle Time (tRC) — [DATA_NEEDED: tRC]
Refresh Cycle Time (tRFC) — [DATA_NEEDED: tRFC]
介面 — Parallel
Lead-Free — Yes

資料表與資源

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