K4A8G085WC-BCTD vs MT40A1G8SA-075:E Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil K4A8G085WC-BCTD dari Samsung Electronics dan MT40A1G8SA-075:E dari Micron Technology. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ Waktu Beli Terakhir
Micron Technology
MT40A1G8SA-075:E MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum K4A8G085WC-BCTD MT40A1G8SA-075:E
Merek Samsung Electronics Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Waktu Pembelian Terakhir Aktif
Tipe Memori DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
Density 8 Gb —
Organisasi 1G x 8 —
Laju Data 2666 Mbps (PC4-2133) 2666 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) 1.2V ±60mV
Paket 78-ball FBGA (78FBGA) 78-FBGA (7.5x11 mm)
Ball Pitch 0.8 mm —
Suhu Kerja 0C to +95C —
Standard Operating Temp Range 0C to +85C —
Burst Length 8 (chop 4) —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes Supported
ZQ Calibration Yes —
Dynamic ODT Yes —
Data Mask Yes —
Tipe Antarmuka Synchronous, parallel —
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Ukuran Memori — 8Gbit (1G x 8)
Antarmuka — Parallel
Clock Frequency — 1.33 GHz
VPP Supply Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Rentang Suhu Kerja — 0°C to +95°C
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
Write Leveling — Supported
Dynamic On-Chip Termination — Supported
Data Mask Function — Supported

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon