K4A8G085WC-BCTD vs MT40A1G8SA-075:E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A1G8SA-075:E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخری بار خریداریخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WC-BCTD | MT40A1G8SA-075:E |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | آخری بار خریداری | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| Density | 8 Gb | — |
| تنظیم | 1G x 8 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps (PC4-2133) | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2V ±60mV |
| پیکیج | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-FBGA (7.5x11 mm) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | — |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | Supported |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| انٹرفیس ٹائپ | Synchronous, parallel | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| میموری سائز | — | 8Gbit (1G x 8) |
| انٹرفیس | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Write Leveling | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |
| Data Mask Function | — | Supported |