MT40A512M16TB-062E vs E3AD8G16A4-HR Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil MT40A512M16TB-062E dari Micron Technology dan E3AD8G16A4-HR dari ELIXIR/NANYA. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ Aktif
ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum MT40A512M16TB-062E E3AD8G16A4-HR
Merek Micron Technology ELIXIR/NANYA
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Tipe Memori DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Ukuran Memori 8 Gbit —
Organisasi 512M x 16 512M x 16
Laju Data 1600 MHz (DDR4-3200) 3200 MT/s
Supply Voltage - VDD/VDDQ 1.2V ±60mV —
Supply Voltage - VPP 2.5V, -125mV, +250mV —
tRCD 19 ns —
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C —
Rentang Suhu Kerja 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) —
Paket 96-FBGA (7.5x13 mm) TFBGA-96
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount
Antarmuka Parallel —
Fitur Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
Status RoHS Compliant —
REACH Status Compliant —
Density — 8 Gb
Tegangan Pemuat — 1.2 V
Latensi CAS — 22
Burst Length — 8 (BC4 optional)
Number of Banks — 16 (4 bank groups)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Suhu Kerja — 0C to +95C (TCASE)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Speed Grade — DDR4-3200

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon