MT40A512M16TB-062E vs E3AD8G16A4-HR مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M16TB-062E توسط Micron Technology و E3AD8G16A4-HR توسط ELIXIR/NANYA. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ فعال
ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر MT40A512M16TB-062E E3AD8G16A4-HR
برند Micron Technology ELIXIR/NANYA
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) $60.00 —
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
اندازه حافظه 8 Gbit —
سازمان 512M x 16 512M x 16
نرخ داده 1600 MHz (DDR4-3200) 3200 MT/s
Supply Voltage - VDD/VDDQ 1.2V ±60mV —
Supply Voltage - VPP 2.5V, -125mV, +250mV —
tRCD 19 ns —
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C —
محدوده دمای کاری 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) —
بسته‌بندی 96-FBGA (7.5x13 mm) TFBGA-96
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
رابط Parallel —
ویژگی‌ها Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
وضعیت RoHS Compliant —
REACH Status Compliant —
Density — 8 Gb
ولتاژ تغذیه — 1.2 V
تأخیر CAS — 22
Burst Length — 8 (BC4 optional)
Number of Banks — 16 (4 bank groups)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
دمای کاری — 0C to +95C (TCASE)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Speed Grade — DDR4-3200

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت