MT40A512M16TB-062E vs E3AD8G16A4-HR 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16TB-062E 제조: Micron Technology 및 E3AD8G16A4-HR 제조: ELIXIR/NANYA. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M16TB-062E | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | ELIXIR/NANYA |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $60.00 | $8.60 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 1600 MHz (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | 1.2V ±60mV | — |
| Supply Voltage - VPP | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| 동작 온도 범위 | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) | — |
| 패키지 | 96-FBGA (7.5x13 mm) | TFBGA-96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 특징 | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| CAS 레이턴시 | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 (BC4 optional) |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| 동작 온도 | — | 0C to +95C (TCASE) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |