1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7146UXTSA1 比較

詳細な並列比較: 1EDN7136UXTSA1 メーカー: Infineon および 1EDN7146UXTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1EDN7136UXTSA1 1EDN7146UXTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.74 $0.82
機能 High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
出力数 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
動作温度範囲 -40 C to +150 C -40C to +125C
パッケージ TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes (per Infineon product family convention) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
立ち上がり時間 — [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
立ち下がり時間 — [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

データシート&リソース

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