1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7146UXTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1EDN7136UXTSA1 제조: Infineon 및 1EDN7146UXTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 1EDN7136UXTSA1 1EDN7146UXTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.74 $0.82
기능 High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
출력 수 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
동작 온도 범위 -40 C to +150 C -40C to +125C
패키지 TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
할로겐 프리 Yes (per Infineon product family convention) —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
상승 시간 — [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
하강 시간 — [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

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