1EDN7511BXUSA1 vs 1EDN7146GXTMA1 比較

詳細な並列比較: 1EDN7511BXUSA1 メーカー: Infineon および 1EDN7146GXTMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1EDN7511BXUSA1 1EDN7146GXTMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.95 $1.05
Driver Type Low-Side, Single Channel High-side, single-channel
Number of Drivers 1 1
出力数 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
立ち上がり時間 [DATA_NEEDED: rise time ns] —
立ち下がり時間 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
動作電源電圧 [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS —
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
動作温度範囲 -40 C to +150 C —
パッケージ PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-VSON-10-4
実装タイプ Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Logic Type — Non-Inverting
Input Type — TDI (Truly Differential Inductor)
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes
Bootstrap Diode — Integrated
動作温度 — -40 C to +125 C
MSLレベル — 1

データシート&リソース

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