1EDN7511BXUSA1 vs 1EDN7146GXTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1EDN7511BXUSA1 제조: Infineon 및 1EDN7146GXTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 1EDN7511BXUSA1 1EDN7146GXTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.95 $1.05
Driver Type Low-Side, Single Channel High-side, single-channel
Number of Drivers 1 1
출력 수 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
상승 시간 [DATA_NEEDED: rise time ns] —
하강 시간 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
동작 공급 전압 [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS —
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
동작 온도 범위 -40 C to +150 C —
패키지 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-VSON-10-4
실장 유형 Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Logic Type — Non-Inverting
Input Type — TDI (Truly Differential Inductor)
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes
Bootstrap Diode — Integrated
동작 온도 — -40 C to +125 C
MSL 레벨 — 1

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