1EDN7511BXUSA1 vs 1EDN7146GXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7511BXUSA1 por Infineon e 1EDN7146GXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7511BXUSA1 1EDN7146GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,95 $1,05
Driver Type Low-Side, Single Channel High-side, single-channel
Number of Drivers 1 1
Número de saídas 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Tempo de subida [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Tempo de descida 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
Tensão de alimentação de operação [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS —
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +150 C —
Encapsulamento PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-VSON-10-4
Tipo de montagem Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Logic Type — Non-Inverting
Input Type — TDI (Truly Differential Inductor)
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes
Bootstrap Diode — Integrated
Temperatura de operação — -40 C to +125 C
Nível MSL — 1

Fichas técnicas e recursos

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