2EDN7434RXTMA1 vs 1EDN7146UXTSA1 比較

詳細な並列比較: 2EDN7434RXTMA1 メーカー: Infineon および 1EDN7146UXTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
2EDN7434RXTMA1 2EDN7434RXTMA1 - 4A Dual Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7434RXTMA1 - 4A Dual Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7434RXTMA1 ✓ 生産中
Infineon
1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2EDN7434RXTMA1 1EDN7146UXTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.34 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family EiceDRIVER 2EDN —
Driver Configuration Dual-channel low-side —
Number of Drivers 2 —
Peak Output Current 5 A (source/sink) —
Rated Output Current 4 A —
Output Resistance (Low) [DATA_NEEDED: output resistance Ron low] —
Output Resistance (High) [DATA_NEEDED: output resistance Ron high] —
Propagation Delay (Typ.) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL, non-inverting —
Absolute Max Input Voltage -12 V to +22 V —
Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: VDD range] —
パッケージ PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature] -40C to +125C
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Active Output Voltage Clamping Yes —
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
立ち上がり時間 — [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
立ち下がり時間 — [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼