2N7002H6327XTSA2 vs 2N7002LT1G 比較

詳細な並列比較: 2N7002H6327XTSA2 メーカー: Infineon および 2N7002LT1G メーカー: onsemi。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 ✓ 生産中
onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2N7002H6327XTSA2 2N7002LT1G
ブランド Infineon onsemi
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.08 $0.02
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (Planar) MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
動作温度範囲 -55C to +150C (Tj) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (TO-236)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement Enhancement Mode
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Configuration — Single FET
ピン数 — 3
カテゴリ — Small Signal MOSFET
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

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