2N7002LT1G vs 2N7002L 比較

詳細な並列比較: 2N7002LT1G メーカー: onsemi および 2N7002L メーカー: onsemi。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2N7002LT1G 2N7002L
ブランド onsemi onsemi
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.02 $0.03
Polarity N-Channel —
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET Single FET
パッケージ SOT-23-3 (TO-236) SOT-23 (SOT-23-3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
カテゴリ Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET High cell density trench MOSFET
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) onsemi
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] —
トランジスタタイプ — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 115 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1 V to 2.5 V
Power Dissipation (PD) — 200 mW (Ta), 225 mW max
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: RoHS status]

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