2N7002LT1G vs 2N7002L Comparação
Comparação detalhada lado a lado de 2N7002LT1G por onsemi e 2N7002L por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | 2N7002LT1G | 2N7002L |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | onsemi |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,02 | $0,03 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Channel Mode | Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage VDSS | 60 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 115 mA (Tc) | — |
| Power Dissipation PD | 225 mW (Ta) | — |
| Maximum RDS(on) | 7.5 ohm @ VGS = 5 V | — |
| Configuration | Single FET | Single FET |
| Encapsulamento | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23 (SOT-23-3) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pinos | 3 | — |
| Categoria | Small Signal MOSFET | — |
| Technology | MOSFET | High cell density trench MOSFET |
| Manufacturer | onsemi (ON Semiconductor) | onsemi |
| Lead Finish | [DATA_NEEDED: lead finish/plating] | — |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Packaging | [DATA_NEEDED: packaging type] | — |
| Tipo de transistor | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 115 mA (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 7.5 ohm max at VGS = 5V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1 V to 2.5 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 200 mW (Ta), 225 mW max |
| Switching Performance | — | Fast switching, rugged and reliable |
| Gate Drive | — | 5V logic-level enhancement mode |
| Typical Applications | — | Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting |
| Status RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |