AS4C512M16D4A-62BIN vs H5AN8G6NDJR-XNC 比較
詳細な並列比較: AS4C512M16D4A-62BIN メーカー: Alliance Memory および H5AN8G6NDJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | AS4C512M16D4A-62BIN | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| ブランド | Alliance Memory | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.10 | $55.68 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit | 8 Gb |
| メモリ構成 | 512M x 16 | — |
| Clock Rate | 1600 MHz | — |
| データレート | 3200 Mbps per pin | 3200 Mbps |
| 電源電圧 | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | — |
| 動作温度 | -40°C to +95°C | — |
| パッケージ | 96-FBGA (7.5x13mm) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| インターフェース | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 22 cycles) | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |