BSC019N04LSTATMA1 vs BSG0813NDIATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC019N04LSTATMA1 メーカー: Infineon および BSG0813NDIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC019N04LSTATMA1 BSG0813NDIATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.21 $1.05
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V —
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
動作温度範囲 -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TISON-8 (5.0 x 6.0 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 Power Block
FET Type — N-Channel MOSFET Array (half-bridge / synchronous buck)
Configuration — High-side + Low-side, integrated
Low-Side Continuous Drain Current (ID) — 19 A
High-Side Continuous Drain Current (ID) — 33 A
Power Dissipation (PD) — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
RDS(on) - Low-Side — [DATA_NEEDED: RDS(on) low-side @ VGS]
RDS(on) - High-Side — [DATA_NEEDED: RDS(on) high-side @ VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Technology Generation — OptiMOS 5
トポロジー — Synchronous buck half-bridge

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