BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC052N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC033N08NS5SCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ 生産中
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BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC052N08NS5ATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.52 $0.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 Trench (OptiMOS 5)
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V +/- 20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
動作接合温度 -55C to +150C —
パッケージ PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (unlimited) 1
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Tc) — 144 A
Power Dissipation (Tc) — 136 W
RDS(on) max @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Thermal Resistance RthJC — 0.86 K/W
動作温度範囲 — -55C to +175C
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

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