BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC052N08NS5ATMA1 от Infineon и BSC033N08NS5SCATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC052N08NS5ATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,52 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 Trench (OptiMOS 5)
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V +/- 20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Рабочая температура перехода -55C to +150C —
Корпус PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (unlimited) 1
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Tc) — 144 A
Power Dissipation (Tc) — 136 W
RDS(on) max @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Thermal Resistance RthJC — 0.86 K/W
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену