BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 对比

详细并排对比 BSC052N08NS5ATMA1 出自 Infineon 和 BSC033N08NS5SCATMA1 出自 Infineon。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Infineon
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ 量产中
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BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ 量产中

规格对比

参数 BSC052N08NS5ATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1
品牌 Infineon Infineon
分类 MOSFETs MOSFETs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $0.52 $0.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 Trench (OptiMOS 5)
晶体管类型 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V +/- 20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
工作结温 -55C to +150C —
封装 PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
安装类型 Surface Mount Surface Mount
RoHS 状态 Compliant Compliant
MSL 等级 1 (unlimited) 1
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Tc) — 144 A
Power Dissipation (Tc) — 136 W
RDS(on) max @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Thermal Resistance RthJC — 0.86 K/W
工作温度范围 — -55C to +175C
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

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