BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC052N08NS5ATMA1 por Infineon e BSC033N08NS5SCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC052N08NS5ATMA1 | BSC033N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,52 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC052N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | Trench (OptiMOS 5) |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 95 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.2 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5-3.0 V | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55C to +150C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 144 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 136 W |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 3.3 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.86 K/W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55C to +175C |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |