BSG0813NDIATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 比較

詳細な並列比較: BSG0813NDIATMA1 メーカー: Infineon および BSC050N04LSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSG0813NDIATMA1 BSC050N04LSGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.05 $0.41
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 Power Block —
FET Type N-Channel MOSFET Array (half-bridge / synchronous buck) N-Channel
Configuration High-side + Low-side, integrated —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Low-Side Continuous Drain Current (ID) 19 A —
High-Side Continuous Drain Current (ID) 33 A —
Power Dissipation (PD) 2.5 W —
パッケージ PG-TISON-8 (5.0 x 6.0 mm) PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
RDS(on) - Low-Side [DATA_NEEDED: RDS(on) low-side @ VGS] —
RDS(on) - High-Side [DATA_NEEDED: RDS(on) high-side @ VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Technology Generation OptiMOS 5 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
トポロジー Synchronous buck half-bridge —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Technology — OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

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