BSG0813NDIATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 比較

詳細な並列比較: BSG0813NDIATMA1 メーカー: Infineon および BSZ0901NSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSG0813NDIATMA1 BSZ0901NSIATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.05 $0.34
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 Power Block OptiMOS 25V
FET Type N-Channel MOSFET Array (half-bridge / synchronous buck) N-Channel
Configuration High-side + Low-side, integrated —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Low-Side Continuous Drain Current (ID) 19 A —
High-Side Continuous Drain Current (ID) 33 A —
Power Dissipation (PD) 2.5 W —
パッケージ PG-TISON-8 (5.0 x 6.0 mm) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) - Low-Side [DATA_NEEDED: RDS(on) low-side @ VGS] —
RDS(on) - High-Side [DATA_NEEDED: RDS(on) high-side @ VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Technology Generation OptiMOS 5 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
トポロジー Synchronous buck half-bridge —
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Technology — OptiMOS trench N-channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
ピン数 — 8
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

データシート&リソース

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