BSZ150N10LS3GATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 比較
詳細な並列比較: BSZ150N10LS3GATMA1 メーカー: Infineon および BSC100N10NSFGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | BSZ150N10LS3GATMA1 | BSC100N10NSFGATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.65 | $1.49 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ150N10LS3GATMA1 | — |
| Technology / Family | OptiMOS 3 | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA=25 °C) | 2.1 W | — |
| 消費電力（TC=25°C） | 63 W | — |
| パッケージ | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature Range (TJ) | -55 °C to +150 °C | — |
| Gate Threshold VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Reflow | Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) | — |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] | — |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | — | 11.4 A |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD), Tc | — | 156 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 10 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| 動作温度範囲 | — | -55C to +150C (junction) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (for rated RDS(on)) |