BSZ150N10LS3GATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ150N10LS3GATMA1 por Infineon e BSC100N10NSFGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ150N10LS3GATMA1 BSC100N10NSFGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $1,49
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ150N10LS3GATMA1 —
Technology / Family OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 15 mΩ —
Power Dissipation (TA=25 °C) 2.1 W —
Dissipação de potência (TC=25°C) 63 W —
Encapsulamento PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature Range (TJ) -55 °C to +150 °C —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Reflow Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Continuous Drain Current (ID), Ta — 11.4 A
Continuous Drain Current (ID), Tc — 90 A
Power Dissipation (PD), Tc — 156 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 10 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (for rated RDS(on))

Fichas técnicas e recursos

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