CGD65A055S2 vs CGD65C055SP2 比較

詳細な並列比較: CGD65A055S2 メーカー: Cambridge GaN Devices および CGD65C055SP2 メーカー: Cambridge GaN Devices。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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CGD65A055S2 CGD65A055S2 - 650V 55mΩ GaN HEMT with ICeGaN Gate | Cambridge GaN Devices

CGD65A055S2 - 650V 55mΩ GaN HEMT with ICeGaN Gate | Cambridge GaN Devices

CGD65A055S2 ✓ 生産中
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CGD65C055SP2 CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices

CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices

CGD65C055SP2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ CGD65A055S2 CGD65C055SP2
ブランド Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
カテゴリ Transistors MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.85 $2.49
Manufacturer Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices (CGD)
Technology GaN-on-Si HEMT (enhancement mode) ICeGaN® GaN-on-Si, enhancement-mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) 650 V —
On-Resistance (RDS(on)) 55 mΩ —
連続ドレイン電流(TC=25°C) 27 A —
Gate Technology ICeGaN™ (standard-driver compatible) —
Current Sense Pin Yes (integrated CS output) —
Integrated Protection Circuit NL³ (non-linear low-loss) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (zero, typical for GaN) —
パッケージ 16-pin DFN 8x8 mm BHDFN-9-1 (Bottom-side cooled, wettable flank)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement-mode (normally-off) —
RoHS ステータス Compliant (lead-free) Compliant
Polarity Single FET —
Part Number — CGD65C055SP2
トランジスタタイプ — N-Channel GaN HEMT (Enhancement Mode, Normally-Off)
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) — 27 A
On-Resistance (R_DS(on)) — 55 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_TH) — 3 V
Gate Drive Voltage Range — 9 V to 20 V
Gate Turn-Off Voltage — 0 V (genuine 0 V turn-off per ICeGaN)
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Thermal Resistance Junction-to-Case (R_thJC) — [DATA_NEEDED: R_thJC in C/W]
Lead-Free — Yes
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL level]

データシート&リソース

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