CGD65A055S2 vs CGD65C055SP2 비교

다음의 상세 나란히 비교: CGD65A055S2 제조: Cambridge GaN Devices 및 CGD65C055SP2 제조: Cambridge GaN Devices. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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CGD65C055SP2 CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices

CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices

CGD65C055SP2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 CGD65A055S2 CGD65C055SP2
브랜드 Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
카테고리 Transistors MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.85 $2.49
Manufacturer Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices (CGD)
Technology GaN-on-Si HEMT (enhancement mode) ICeGaN® GaN-on-Si, enhancement-mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) 650 V —
On-Resistance (RDS(on)) 55 mΩ —
연속 드레인 전류 (TC=25°C) 27 A —
Gate Technology ICeGaN™ (standard-driver compatible) —
Current Sense Pin Yes (integrated CS output) —
Integrated Protection Circuit NL³ (non-linear low-loss) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (zero, typical for GaN) —
패키지 16-pin DFN 8x8 mm BHDFN-9-1 (Bottom-side cooled, wettable flank)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement-mode (normally-off) —
RoHS 상태 Compliant (lead-free) Compliant
Polarity Single FET —
Part Number — CGD65C055SP2
트랜지스터 유형 — N-Channel GaN HEMT (Enhancement Mode, Normally-Off)
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) — 27 A
On-Resistance (R_DS(on)) — 55 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_TH) — 3 V
Gate Drive Voltage Range — 9 V to 20 V
Gate Turn-Off Voltage — 0 V (genuine 0 V turn-off per ICeGaN)
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Thermal Resistance Junction-to-Case (R_thJC) — [DATA_NEEDED: R_thJC in C/W]
Lead-Free — Yes
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL level]

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