CGD65C055SP2 vs CGD65A055S2 比較

詳細な並列比較: CGD65C055SP2 メーカー: Cambridge GaN Devices および CGD65A055S2 メーカー: Cambridge GaN Devices。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Cambridge GaN Devices
CGD65C055SP2 CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices

CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices

CGD65C055SP2 ✓ 生産中
Cambridge GaN Devices
CGD65A055S2 CGD65A055S2 - 650V 55mΩ GaN HEMT with ICeGaN Gate | Cambridge GaN Devices

CGD65A055S2 - 650V 55mΩ GaN HEMT with ICeGaN Gate | Cambridge GaN Devices

CGD65A055S2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ CGD65C055SP2 CGD65A055S2
ブランド Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
カテゴリ MOSFETs Transistors
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.49 $2.85
Manufacturer Cambridge GaN Devices (CGD) Cambridge GaN Devices
Part Number CGD65C055SP2 —
トランジスタタイプ N-Channel GaN HEMT (Enhancement Mode, Normally-Off) —
Drain-Source Voltage (V_DS max) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) 27 A —
On-Resistance (R_DS(on)) 55 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_TH) 3 V —
Gate Drive Voltage Range 9 V to 20 V —
Gate Turn-Off Voltage 0 V (genuine 0 V turn-off per ICeGaN) —
Technology ICeGaN® GaN-on-Si, enhancement-mode GaN-on-Si HEMT (enhancement mode)
パッケージ BHDFN-9-1 (Bottom-side cooled, wettable flank) 16-pin DFN 8x8 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel N-Channel
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Thermal Resistance Junction-to-Case (R_thJC) [DATA_NEEDED: R_thJC in C/W] —
RoHS ステータス Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 650 V
On-Resistance (RDS(on)) — 55 mΩ
連続ドレイン電流(TC=25°C) — 27 A
Gate Technology — ICeGaN™ (standard-driver compatible)
Current Sense Pin — Yes (integrated CS output)
Integrated Protection Circuit — NL³ (non-linear low-loss)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 0 nC (zero, typical for GaN)
Operating Mode — Enhancement-mode (normally-off)
Polarity — Single FET

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼