CGD65C055SP2 vs CGD65A055S2 비교

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CGD65C055SP2 CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices

CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices

CGD65C055SP2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 CGD65C055SP2 CGD65A055S2
브랜드 Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
카테고리 MOSFETs Transistors
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.49 $2.85
Manufacturer Cambridge GaN Devices (CGD) Cambridge GaN Devices
Part Number CGD65C055SP2 —
트랜지스터 유형 N-Channel GaN HEMT (Enhancement Mode, Normally-Off) —
Drain-Source Voltage (V_DS max) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) 27 A —
On-Resistance (R_DS(on)) 55 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_TH) 3 V —
Gate Drive Voltage Range 9 V to 20 V —
Gate Turn-Off Voltage 0 V (genuine 0 V turn-off per ICeGaN) —
Technology ICeGaN® GaN-on-Si, enhancement-mode GaN-on-Si HEMT (enhancement mode)
패키지 BHDFN-9-1 (Bottom-side cooled, wettable flank) 16-pin DFN 8x8 mm
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel N-Channel
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Thermal Resistance Junction-to-Case (R_thJC) [DATA_NEEDED: R_thJC in C/W] —
RoHS 상태 Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 650 V
On-Resistance (RDS(on)) — 55 mΩ
연속 드레인 전류 (TC=25°C) — 27 A
Gate Technology — ICeGaN™ (standard-driver compatible)
Current Sense Pin — Yes (integrated CS output)
Integrated Protection Circuit — NL³ (non-linear low-loss)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 0 nC (zero, typical for GaN)
Operating Mode — Enhancement-mode (normally-off)
Polarity — Single FET

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