CGD65C055SP2 vs CGD65A055S2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок CGD65C055SP2 от Cambridge GaN Devices и CGD65A055S2 от Cambridge GaN Devices. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Cambridge GaN Devices
CGD65C055SP2 CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices

CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices

CGD65C055SP2 ✓ Активен
Cambridge GaN Devices
CGD65A055S2 CGD65A055S2 - 650V 55mΩ GaN HEMT with ICeGaN Gate | Cambridge GaN Devices

CGD65A055S2 - 650V 55mΩ GaN HEMT with ICeGaN Gate | Cambridge GaN Devices

CGD65A055S2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр CGD65C055SP2 CGD65A055S2
Бренд Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
Категория MOSFETs Transistors
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,49 $2,85
Manufacturer Cambridge GaN Devices (CGD) Cambridge GaN Devices
Part Number CGD65C055SP2 —
Тип транзистора N-Channel GaN HEMT (Enhancement Mode, Normally-Off) —
Drain-Source Voltage (V_DS max) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) 27 A —
On-Resistance (R_DS(on)) 55 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_TH) 3 V —
Gate Drive Voltage Range 9 V to 20 V —
Gate Turn-Off Voltage 0 V (genuine 0 V turn-off per ICeGaN) —
Technology ICeGaN® GaN-on-Si, enhancement-mode GaN-on-Si HEMT (enhancement mode)
Корпус BHDFN-9-1 (Bottom-side cooled, wettable flank) 16-pin DFN 8x8 mm
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel N-Channel
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Thermal Resistance Junction-to-Case (R_thJC) [DATA_NEEDED: R_thJC in C/W] —
Статус RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 650 V
On-Resistance (RDS(on)) — 55 mΩ
Непрерывный ток стока (TC=25°C) — 27 A
Gate Technology — ICeGaN™ (standard-driver compatible)
Current Sense Pin — Yes (integrated CS output)
Integrated Protection Circuit — NL³ (non-linear low-loss)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 0 nC (zero, typical for GaN)
Operating Mode — Enhancement-mode (normally-off)
Polarity — Single FET

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену