H5AN8G6NCJR-VKC vs NT6AN8T6WBJ1B1 比較
詳細な並列比較: H5AN8G6NCJR-VKC メーカー: SK hynix および NT6AN8T6WBJ1B1 メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5AN8G6NCJR-VKC | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Nanya Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $60.00 | $8.75 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | — |
| データレート | 2666 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| 動作温度 | 0°C to +95°C | 0C to +95C (TC) |
| パッケージ | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 cycles |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gb (512M x 16) |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |
| RoHS ステータス | — | Compliant |