H5AN8G6NCJR-VKC vs NT6AN8T6WBJ1B1 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NCJR-VKC 제조: SK hynix 및 NT6AN8T6WBJ1B1 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NCJR-VKC | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $60.00 | $8.75 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C | 0C to +95C (TC) |
| 패키지 | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 cycles |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gb (512M x 16) |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |
| RoHS 상태 | — | Compliant |