H5AN8G6NCJR-VKC vs NT6AN8T6WBJ1B1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NCJR-VKC von SK hynix und NT6AN8T6WBJ1B1 von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G6NCJR-VKC | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $60,00 | $8,75 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Datenrate | 2666 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | 0C to +95C (TC) |
| Gehäuse | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 cycles |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Speichergröße | — | 8 Gb (512M x 16) |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |
| RoHS-Status | — | Compliant |