H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-PBC 比較
詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-VKC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NCJR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5AN8G8NCJR-VKC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $28.13 | $2.40 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM (volatile) | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| データレート | 2666 Mbps/pin | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) | 1.2 V |
| Operating Current (typ) | 30 mA | — |
| Standby Current (typ) | 3 mA | — |
| 動作温度 | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| パッケージ | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | Parallel (DDR4) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Lead-Free & Halogen-Free |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh period] | — |
| メモリ構成 | — | 1G x 8 (x8) |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Burst Length | — | BL8 |
| 特長 | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |