H5AN8G8NDJR vs H5AN8G8NCJR-XNC 比較
詳細な並列比較: H5AN8G8NDJR メーカー: SK hynix および H5AN8G8NCJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5AN8G8NDJR | H5AN8G8NCJR-XNC |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $24.50 | $30.69 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 1G x 8 | 1 Gb x 8 |
| データレート | 3200 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | — |
| 動作温度 | 0°C to +95°C (Tc) | 0 C to +85 C |
| パッケージ | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm |
| CASレイテンシ | 22 (typical) | — |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| 電源電圧 | — | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| インターフェース | — | DDR4 (8-bit data interface) |
| Architecture | — | Bank-group based DDR4 |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Precharge | — | Auto precharge |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Calibration | — | ZQ calibration, write leveling |
| Error Handling | — | CRC function |
| Reset | — | Asynchronous reset |
| Data Mask | — | Data mask function |
| Current - Operating | — | 39 mA |
| Current - Standby | — | 30 mA |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes |