H5AN8G8NDJR vs H5AN8G8NCJR-XNC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NDJR par SK hynix et H5AN8G8NCJR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NDJR | H5AN8G8NCJR-XNC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $24,50 | $30,69 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1 Gb x 8 |
| Débit de données | 3200 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (Tc) | 0 C to +85 C |
| Boîtier | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm |
| Latence CAS | 22 (typical) | — |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Tension d'alimentation | — | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Interface | — | DDR4 (8-bit data interface) |
| Architecture | — | Bank-group based DDR4 |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Precharge | — | Auto precharge |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Calibration | — | ZQ calibration, write leveling |
| Error Handling | — | CRC function |
| Reset | — | Asynchronous reset |
| Data Mask | — | Data mask function |
| Current - Operating | — | 39 mA |
| Current - Standby | — | 30 mA |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes |