H5AN8G8NDJR vs K4A8G085WB-BIWE 比較
詳細な並列比較: H5AN8G8NDJR メーカー: SK hynix および K4A8G085WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5AN8G8NDJR | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $24.50 | $6.50 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 1G x 8 | — |
| データレート | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | — |
| 動作温度 | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to +85°C |
| パッケージ | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 78-FBGA |
| CASレイテンシ | 22 (typical) | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| メモリサイズ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| ハロゲンフリー | — | Yes |