H5AN8G8NDJR vs K4A8G085WB-BIWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G8NDJR por SK hynix e K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G8NDJR | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $24,50 | $6,50 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organização da memória | 1G x 8 | — |
| Taxa de dados | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | — |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to +85°C |
| Encapsulamento | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 78-FBGA |
| Latência CAS | 22 (typical) | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tamanho da memória | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Tensão de alimentação | — | 1.2 V |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Livre de halogênio | — | Yes |