H5AN8G8NDJR vs K4A8G085WB-BIWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NDJR par SK hynix et K4A8G085WB-BIWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NDJR | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $24,50 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | — |
| Débit de données | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to +85°C |
| Boîtier | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 78-FBGA |
| Latence CAS | 22 (typical) | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes |