H5TC4G63AFR-PBJ vs H5TC4G63AFR-PBA 比較

詳細な並列比較: H5TC4G63AFR-PBJ メーカー: SK hynix および H5TC4G63AFR-PBA メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBJ H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ ✓ 生産中
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H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5TC4G63AFR-PBJ H5TC4G63AFR-PBA
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.50 $3.98
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
メモリサイズ 4 Gb (256M x 16) —
電源電圧 1.35 V —
パッケージ 96-ball TFBGA 96-ball FBGA
Temperature Grade Industrial (-40°C to +95°C) —
Refresh Cycles 8192 —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
データレート [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] 1866 Mbps (PC3L-14900)
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Access Time 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Data Mask Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Density — 4Gb
メモリ構成 — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
動作温度範囲 — 0°C to +95°C (Tcase)
インターフェース — 16-bit I/O
On-Die Termination (ODT) — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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