H5TC4G63AFR-PBJ vs H5TC4G63AFR-PBI 比較
詳細な並列比較: H5TC4G63AFR-PBJ メーカー: SK hynix および H5TC4G63AFR-PBI メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5TC4G63AFR-PBJ | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | Obsolete |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $7.50 | $6.50 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gb (256M x 16) | — |
| 電源電圧 | 1.35 V | 1.35 V |
| パッケージ | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| データレート | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Access Time | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| メモリ構成 | — | 256M x 16 |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| 動作温度範囲 | — | -40°C to +95°C |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |